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SI8851EDB-T2-E1
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 16.7 A, 0.006 ohm, MICRO FOOT, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI8851EDB-T2-E1
Code Commande29X6572
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 41 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,497 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI8851EDB-T2-E1
Code Commande29X6572
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id16.7A
On Resistance Rds(on)0.006ohm
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.1W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Power Dissipation3.1W
No. of Pins30Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.006ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
MICRO FOOT
No. of Pins
30Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
16.7A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Power Dissipation Pd
3.1W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI8851EDB-T2-E1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit