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SI9407BDY-T1-GE3
MOSFET Transistor, P Channel, -4.7 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V RoHS Compliant: Yes
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22 396 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,310 $ |
| 10+ | 1,460 $ |
| 25+ | 1,300 $ |
| 50+ | 1,140 $ |
| 100+ | 0,976 $ |
| 250+ | 0,873 $ |
| 500+ | 0,769 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,31 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9407BDY-T1-GE3
Code Commande47Y1313
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id4.7A
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.7A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5W
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits