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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9407BDY-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine16P3885
Bandes découpées16P3885
Votre numéro de pièce
2 500 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,490 $ | 2,49 $ |
| Total Prix | 2,49 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,490 $ |
| 10+ | 1,710 $ |
| 25+ | 1,560 $ |
| 50+ | 1,390 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9407BDY-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine16P3885
Bandes découpées16P3885
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The SI9407BDY-T1-GE3 is a -60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.7A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI9407BDY-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
