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SI9933CDY-T1-E3
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 4 A, 0.048 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9933CDY-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6332
Mise en bobine60AC3821RL
Bandes découpées60AC3821
Votre numéro de pièce
1 564 En Stock
1 564 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,730 $ | 1,73 $ |
| Total Prix | 1,73 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,730 $ |
| 10+ | 0,830 $ |
| 25+ | 0,740 $ |
| 50+ | 0,651 $ |
| 100+ | 0,562 $ |
| 250+ | 0,497 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,369 $ |
| 5000+ | 0,352 $ |
| 10000+ | 0,337 $ |
| 15000+ | 0,320 $ |
| 25000+ | 0,309 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9933CDY-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6332
Mise en bobine60AC3821RL
Bandes découpées60AC3821
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id4A
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.048ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
Dual P-channel 20V (D-S) MOSFET suitable for sue in load switch, DC/DC converter.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.048ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit