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SI9933CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 4 A
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,480 $ |
| 10+ | 0,478 $ |
| 25+ | 0,478 $ |
| 50+ | 0,478 $ |
| 100+ | 0,478 $ |
| 250+ | 0,438 $ |
| 500+ | 0,423 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9933CDY-T1-GE3
Code Commande55R1932
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.048ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.048ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit