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SI9933CDY-T1-GE3.
Dual MOSFET, Dual P Channel, 20 V, 4 A
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,278 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
695,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9933CDY-T1-GE3.Copie
Code Commande26AC3354
Fiche technique
Channel TypeDual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.058ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.058ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SI9933CDY-T1-GE3.
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit