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3 209 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,050 $ |
| 10+ | 0,844 $ |
| 25+ | 0,793 $ |
| 50+ | 0,743 $ |
| 100+ | 0,691 $ |
| 250+ | 0,626 $ |
| 500+ | 0,559 $ |
| 1000+ | 0,508 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,05 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA400EDJ-T1-GE3
Code Commande57AJ0361
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation19.2W
Power Dissipation Pd19.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19.2W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
19.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SIA400EDJ-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits