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SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 12A, POWERPAK SC70
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,300 $ | 1,30 $ |
| Total Prix | 1,30 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,300 $ |
| 50+ | 0,594 $ |
| 100+ | 0,524 $ |
| 250+ | 0,463 $ |
| 500+ | 0,402 $ |
| 1000+ | 0,393 $ |
| 2500+ | 0,386 $ |
| 5000+ | 0,378 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA429DJT-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Mise en bobine57AJ0363RL
Bandes découpées57AJ0363
Gamme de produitTrench
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.0205ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0205ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
Trench
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SIA429DJT-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit