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SIA431DJ-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 12A, POWERPAK SC70 ROHS COMPLIANT: YES
3 745 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,480 $ |
| 10+ | 0,979 $ |
| 25+ | 0,884 $ |
| 50+ | 0,789 $ |
| 100+ | 0,694 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,494 $ |
| 5000+ | 0,486 $ |
| 10000+ | 0,458 $ |
| 20000+ | 0,434 $ |
| 30000+ | 0,413 $ |
| 50000+ | 0,400 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA431DJ-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète35R0006
Mise en bobine57AJ0364
Bandes découpées57AJ0364
Gamme de produitTrench
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation3.5W
Power Dissipation Pd3.5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3.5W
No. of Pins
6Pins
Product Range
Trench
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
Power Dissipation Pd
3.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits