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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,404 $ |
5000+ | 0,395 $ |
10000+ | 0,365 $ |
20000+ | 0,340 $ |
30000+ | 0,317 $ |
50000+ | 0,304 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 212,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA436DJ-T1-GE3
Code Commande99W9414
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.0094ohm
On Resistance Rds(on)0.0078ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd19W
Gate Source Threshold Voltage Max350mV
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- N-channel 8V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
- 100 % Rg tested
- Used in load switch for portable applications such as smart phones, tablet PCs and mobile computing
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.0094ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
350mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.0078ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
19W
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIA436DJ-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit