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SIA436DJ-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 8 V, 12 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,010 $ |
| 25+ | 0,762 $ |
| 50+ | 0,680 $ |
| 100+ | 0,598 $ |
| 250+ | 0,570 $ |
| 500+ | 0,543 $ |
| 1000+ | 0,501 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA436DJ-T1-GE3Copie
Code Commande04X9736
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.0094ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max350mV
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.0094ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
350mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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