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SIA447DJ-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 12V, PPAK-SC70
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA447DJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande62W0504
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 39 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,410 $ |
| 10+ | 1,000 $ |
| 15+ | 0,907 $ |
| 25+ | 0,812 $ |
| 50+ | 0,718 $ |
| 125+ | 0,623 $ |
| 250+ | 0,526 $ |
| 500+ | 0,430 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
7,05 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA447DJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande62W0504
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.011ohm
Drain Source On State Resistance0.0135ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd19W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.011ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation Pd
19W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.0135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SIA447DJ-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit