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SIA459EDJ-T1-GE3
MOSFET Transistor, P Channel, -9 A, -20 V, 0.028 ohm, -4.5 V RoHS Compliant: Yes
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA459EDJ-T1-GE3
Code Commande40X8666
Votre numéro de pièce
Fiche technique
51 860 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,130 $ |
| 10+ | 0,732 $ |
| 25+ | 0,656 $ |
| 50+ | 0,580 $ |
| 100+ | 0,505 $ |
| 500+ | 0,406 $ |
| 1000+ | 0,373 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
5,65 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA459EDJ-T1-GE3
Code Commande40X8666
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd15.6W
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation15.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
9A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
15.6W
Power Dissipation
15.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits