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SIA459EDJ-T1-GE3
MOSFET Transistor, P Channel, -9 A, -20 V, 0.028 ohm, -4.5 V RoHS Compliant: Yes
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58 030 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,901 $ |
| 10+ | 0,695 $ |
| 25+ | 0,640 $ |
| 50+ | 0,583 $ |
| 100+ | 0,527 $ |
| 500+ | 0,429 $ |
| 1000+ | 0,376 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
4,50 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA459EDJ-T1-GE3
Code Commande40X8666
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id9A
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd15.6W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation15.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation Pd
15.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
15.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits