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SIA461DJ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 12 A, 33 mohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,271 $ |
| 5000+ | 0,257 $ |
| 10000+ | 0,224 $ |
| 20000+ | 0,199 $ |
| 30000+ | 0,184 $ |
| 50000+ | 0,168 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
813,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA461DJ-T1-GE3
Code Commande99W9423
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Drain Source On State Resistance33mohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd17.9W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation17.9W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation Pd
17.9W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
33mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
17.9W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIA461DJ-T1-GE3
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit