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SIA469DJ-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,900 $ |
| 10+ | 0,587 $ |
| 25+ | 0,526 $ |
| 50+ | 0,466 $ |
| 100+ | 0,405 $ |
| 250+ | 0,365 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA469DJ-T1-GE3
Code Commande10AC9109
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Drain Source On State Resistance0.0265ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd15.6W
Power Dissipation15.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
P-channel 30V (D-S) MOSFET suitable for use in load switch, DC/DC converters, high speed switching, power management in battery-operated, mobile and wearable devices.
- TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
- 100% Rg tested
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
15.6W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.0265ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
15.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIA469DJ-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit