Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA471DJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6210
Mise en bobine02AH2517RL
Bandes découpées02AH2517
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Votre numéro de pièce
19 528 En Stock
19 528 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 5 | 0,055 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 0,28 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,600 $ |
| 10+ | 1,040 $ |
| 15+ | 0,960 $ |
| 25+ | 0,882 $ |
| 50+ | 0,802 $ |
| 125+ | 0,722 $ |
| 250+ | 0,655 $ |
| 500+ | 0,587 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,055 $ |
| 5000+ | 0,053 $ |
| 10000+ | 0,050 $ |
| 20000+ | 0,048 $ |
| 30000+ | 0,045 $ |
| 50000+ | 0,043 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA471DJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6210
Mise en bobine02AH2517RL
Bandes découpées02AH2517
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id30.3A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation19.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
30.3A
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
19.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
To Be Advised
Produits de remplacement pour SIA471DJ-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
