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SIA519EDJ-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA519EDJ-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine69W7157
Bandes découpées69W7157
Votre numéro de pièce
984 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,932 $ | 0,93 $ |
| Total Prix | 0,93 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,932 $ |
| 25+ | 0,846 $ |
| 50+ | 0,777 $ |
| 100+ | 0,698 $ |
| 250+ | 0,631 $ |
| 500+ | 0,554 $ |
| 1000+ | 0,498 $ |
| 2500+ | 0,413 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA519EDJ-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine69W7157
Bandes découpées69W7157
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.053ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.053ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SIA519EDJ-T1-GE3 is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- Typical ESD protection
- 100% Rg tested
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.053ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.053ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit