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SIA906EDJ-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.037 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA906EDJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète15R4841
Bobine complète81AC9906
Mise en bobine09X6410RL
Bandes découpées09X6410
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
3 000 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,966 $ | 0,97 $ |
| Total Prix | 0,97 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,966 $ |
| 25+ | 0,690 $ |
| 50+ | 0,613 $ |
| 100+ | 0,536 $ |
| 250+ | 0,498 $ |
| 500+ | 0,459 $ |
| 1000+ | 0,423 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,341 $ |
| 5000+ | 0,334 $ |
| 10000+ | 0,308 $ |
| 20000+ | 0,287 $ |
| 30000+ | 0,268 $ |
| 50000+ | 0,257 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA906EDJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète15R4841
Bobine complète81AC9906
Mise en bobine09X6410RL
Bandes découpées09X6410
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.037ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.037ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (16-Jan-2020)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.037ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.037ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (16-Jan-2020)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIA906EDJ-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (16-Jan-2020)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit