Imprimer la page
SIA918EDJ-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, POWERPAK SC-70
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA918EDJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète20AC3780
Mise en bobine26AK5784RL
Bandes découpées26AK5784
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
849 En Stock
849 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,120 $ | 5,60 $ |
| Total Prix | 5,60 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,120 $ |
| 10+ | 0,697 $ |
| 25+ | 0,613 $ |
| 50+ | 0,531 $ |
| 100+ | 0,448 $ |
| 250+ | 0,395 $ |
| 500+ | 0,342 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,328 $ |
| 10000+ | 0,308 $ |
| 20000+ | 0,292 $ |
| 30000+ | 0,277 $ |
| 50000+ | 0,268 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA918EDJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète20AC3780
Mise en bobine26AK5784RL
Bandes découpées26AK5784
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.046ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.046ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.046ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
4.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.046ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SIA918EDJ-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit