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SIA975DJ-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 4.5 A, 0.07 ohm, PowerPAK SC70, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA975DJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3791
Mise en bobine97W2600RL
Bandes découpées97W2600
Votre numéro de pièce
221 En Stock
221 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,560 $ | 1,56 $ |
| Total Prix | 1,56 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,560 $ |
| 10+ | 0,980 $ |
| 25+ | 0,868 $ |
| 50+ | 0,755 $ |
| 100+ | 0,643 $ |
| 250+ | 0,570 $ |
| 500+ | 0,497 $ |
| 1000+ | 0,451 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,458 $ |
| 5000+ | 0,448 $ |
| 10000+ | 0,414 $ |
| 20000+ | 0,385 $ |
| 30000+ | 0,360 $ |
| 50000+ | 0,344 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA975DJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3791
Mise en bobine97W2600RL
Bandes découpées97W2600
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.07ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
SiA975DJ-T1-GE3 is a dual P-channel 12V (D-S) MOSFET. The applications include a load switch, PA switch, and battery switch for portable devices and game consoles.
- TrenchFET® power MOSFET, 100 % Rg tested
- New thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package, small footprint area, low on-resistance
- Drain-source breakdown voltage is -12V min (VGS = 0V, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from -0.4 to -1V (VDS = VGS, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current is -4.5A (TJ = 150°C, TC = 25°C)
- Pulsed drain current is -15A (TA = 25°C)
- Continuous source-drain diode current is -4.5A max (TC = 25°C)
- Maximum power dissipation is 7.8W (TC = 25°C)
- Input capacitance is 1500pF typ (VDS = -6V, VGS = 0V, f = 1MHz, TC = 25°C)
- PowerPAK SC-70 package, operating junction temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.07ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
12V
Continuous Drain Current Id
4.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIA975DJ-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit