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SIA975DJ-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 4.5 A, 0.07 ohm, PowerPAK SC70, Surface Mount
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| Fabricant | VISHAY |
|---|---|
| Réf. Fabricant | SIA975DJ-T1-GE3Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 39 semaines |
| Code Commande | Mise en bobine97W2600RL Bandes découpées97W2600 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
2 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,640 $ | 1,64 $ |
| Total Prix | 1,64 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,640 $ |
| 50+ | 0,759 $ |
| 100+ | 0,672 $ |
| 250+ | 0,596 $ |
| 500+ | 0,519 $ |
| 1000+ | 0,507 $ |
| 2500+ | 0,449 $ |
| 5000+ | 0,392 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | VISHAY |
|---|---|
| Réf. Fabricant | SIA975DJ-T1-GE3Copie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 39 semaines |
| Code Commande | Mise en bobine97W2600RL Bandes découpées97W2600 |
| Fiche technique | |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 12V |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 12V |
| Continuous Drain Current Id | 4.5A |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 12V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 4.5A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 4.5A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | - |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.07ohm |
| Transistor Case Style | PowerPAK SC-70 |
| No. of Pins | 6Pins |
| Power Dissipation N Channel | 7.8W |
| Power Dissipation P Channel | 7.8W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (04-Feb-2026) |
Aperçu du produit
SiA975DJ-T1-GE3 is a dual P-channel 12V (D-S) MOSFET. The applications include a load switch, PA switch, and battery switch for portable devices and game consoles.
- TrenchFET® power MOSFET, 100 % Rg tested
- New thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package, small footprint area, low on-resistance
- Drain-source breakdown voltage is -12V min (VGS = 0V, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from -0.4 to -1V (VDS = VGS, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current is -4.5A (TJ = 150°C, TC = 25°C)
- Pulsed drain current is -15A (TA = 25°C)
- Continuous source-drain diode current is -4.5A max (TC = 25°C)
- Maximum power dissipation is 7.8W (TC = 25°C)
- Input capacitance is 1500pF typ (VDS = -6V, VGS = 0V, f = 1MHz, TC = 25°C)
- PowerPAK SC-70 package, operating junction temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
| Channel Type | P Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 12V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 12V |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 4.5A |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.07ohm |
| No. of Pins | 6Pins |
| Power Dissipation P Channel | 7.8W |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Drain Source Voltage Vds | 12V |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 4.5A |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 4.5A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | - |
| Transistor Case Style | PowerPAK SC-70 |
| Power Dissipation N Channel | 7.8W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (04-Feb-2026) |
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIA975DJ-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |