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SIA975DJ-T1-GE3.
Dual MOSFET, Dual P Channel, 12 V, 4.5 A
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,398 $ |
| 5000+ | 0,388 $ |
| 10000+ | 0,359 $ |
| 20000+ | 0,334 $ |
| 30000+ | 0,312 $ |
| 50000+ | 0,298 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 194,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA975DJ-T1-GE3.
Code Commande28AC2100
Fiche technique
Channel TypeDual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel4.1mohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual P Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source Voltage Vds
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
4.1mohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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