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SIDR5102EP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 100V, 126A, POWERPAK SO-DC ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR5102EP-T1-RE3
Code Commande47AK1665
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Fiche technique
5 752 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,060 $ |
| 10+ | 4,300 $ |
| 25+ | 4,050 $ |
| 50+ | 3,800 $ |
| 100+ | 3,550 $ |
| 250+ | 3,330 $ |
| 500+ | 3,090 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,06 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR5102EP-T1-RE3
Code Commande47AK1665
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id126A
On Resistance Rds(on)0.0034ohm
Drain Source On State Resistance0.0041ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-DC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
Power Dissipation Pd150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0034ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO-DC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
126A
Drain Source On State Resistance
0.0041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits