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SIDR570EP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 150V, 90.9A, POWERPAK SO-8
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR570EP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande30AK7441
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Votre numéro de pièce
5 454 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,400 $ |
| 10+ | 5,170 $ |
| 25+ | 4,740 $ |
| 50+ | 4,330 $ |
| 100+ | 3,900 $ |
| 250+ | 3,680 $ |
| 500+ | 3,450 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
7,40 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR570EP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande30AK7441
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id90.9A
Drain Source On State Resistance7900µohm
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
Power Dissipation Pd150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
7900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90.9A
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit