Imprimer la page
SIDR610DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 200V, 39.6A, 150DEG C/125W
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR610DP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6212
Mise en bobine04AJ4573RL
Bandes découpées04AJ4573
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
8 872 En Stock
8 872 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 5 | 1,830 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 9,15 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 4,810 $ |
| 50+ | 3,140 $ |
| 100+ | 2,170 $ |
| 250+ | 1,970 $ |
| 500+ | 1,760 $ |
| 1000+ | 1,730 $ |
| 2500+ | 1,700 $ |
| 5000+ | 1,660 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,830 $ |
| 9000+ | 1,610 $ |
| 15000+ | 1,580 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR610DP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6212
Mise en bobine04AJ4573RL
Bandes découpées04AJ4573
Gamme de produitTrenchFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id39.6A
Drain Source On State Resistance0.0319ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
39.6A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0319ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit