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SIDR622DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 150V, 56.7A, 150DEG C/125W
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15 885 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,670 $ | 5,67 $ |
| Total Prix | 5,67 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,670 $ |
| 50+ | 2,850 $ |
| 100+ | 2,560 $ |
| 250+ | 2,320 $ |
| 500+ | 2,090 $ |
| 1000+ | 2,070 $ |
| 2500+ | 1,990 $ |
| 5000+ | 1,900 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR622DP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Mise en bobine04AJ4574RL
Bandes découpées04AJ4574
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id56.7A
Drain Source On State Resistance0.0177ohm
On Resistance Rds(on)0.0147ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd125W
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0177ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
125W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56.7A
On Resistance Rds(on)
0.0147ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit