Imprimer la page
SIDR626DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, 150DEG C, 125W
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR626DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Bobine complète59AC7338
Mise en bobine78AC6503
Bandes découpées78AC6503
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
11 En Stock
11 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 7,770 $ | 38,85 $ |
| Total Prix | 38,85 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 7,770 $ |
| 10+ | 5,130 $ |
| 25+ | 4,630 $ |
| 50+ | 4,150 $ |
| 100+ | 3,630 $ |
| 250+ | 3,510 $ |
| 500+ | 3,350 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 2,280 $ |
| 10000+ | 2,190 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR626DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Bobine complète59AC7338
Mise en bobine78AC6503
Bandes découpées78AC6503
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance1700µohm
On Resistance Rds(on)0.0014ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd125W
Gate Source Threshold Voltage Max3.4V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
125W
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIDR626DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit