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SIDR626LEP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 60V, 218A, POWERPAK SO
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR626LEP-T1-RE3
Code Commande62AJ4906
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Options de conditionnement
5 532 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,630 $ |
| 10+ | 4,010 $ |
| 25+ | 3,620 $ |
| 50+ | 3,230 $ |
| 100+ | 2,840 $ |
| 250+ | 2,730 $ |
| 500+ | 2,600 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,63 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR626LEP-T1-RE3
Code Commande62AJ4906
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id218A
Drain Source On State Resistance1500µohm
On Resistance Rds(on)0.0012ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd150W
Power Dissipation150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1500µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
150W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
218A
On Resistance Rds(on)
0.0012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits