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SIDR680DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 80V, 100A, 150DEG C, 125W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR680DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Mise en bobine78AC6506
Bandes découpées78AC6506
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 56 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 6,200 $ | 31,00 $ |
| Total Prix | 31,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 6,200 $ |
| 10+ | 4,090 $ |
| 25+ | 3,690 $ |
| 50+ | 3,280 $ |
| 100+ | 2,880 $ |
| 250+ | 2,660 $ |
| 500+ | 2,420 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR680DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Mise en bobine78AC6506
Bandes découpées78AC6506
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance2900µohm
On Resistance Rds(on)0.0024ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd125W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.4V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
125W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIDR680DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit