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SIHA11N80AE-GE3
MOSFET, N-CH, 800V, 8A, TO-220FP
1 023 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,020 $ | 4,02 $ |
| Total Prix | 4,02 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,020 $ |
| 50+ | 1,990 $ |
| 100+ | 1,810 $ |
| 250+ | 1,640 $ |
| 500+ | 1,470 $ |
| 1000+ | 1,360 $ |
| 2500+ | 1,290 $ |
| 5000+ | 1,260 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHA11N80AE-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine80AK5260RL
Bandes découpées80AK5260
Gamme de produitE Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.45ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation31W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.45ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit