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SIHA22N60E-GE3
MOSFET, N-CH, 600V, 21A, 150DEG C, 35W
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,640 $ |
| 10+ | 4,400 $ |
| 25+ | 3,980 $ |
| 50+ | 3,540 $ |
| 100+ | 3,120 $ |
| 250+ | 3,040 $ |
| 500+ | 2,950 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
6,64 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHA22N60E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande32AJ8767
Gamme de produitE
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation35W
Power Dissipation Pd35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit