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SIHB105N60EF-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB105N60EF-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant25 semaines
Code Commande77AH0217
Gamme de produitEF IV Gen Series
Votre numéro de pièce
6 215 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,320 $ |
| 10+ | 3,800 $ |
| 25+ | 3,690 $ |
| 50+ | 3,560 $ |
| 100+ | 3,450 $ |
| 500+ | 2,880 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,32 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB105N60EF-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant25 semaines
Code Commande77AH0217
Gamme de produitEF IV Gen Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.102ohm
On Resistance Rds(on)0.088ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation208W
Power Dissipation Pd208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF IV Gen Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.102ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF IV Gen Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
On Resistance Rds(on)
0.088ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit