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2 781 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 4,130 $ |
25+ | 3,650 $ |
100+ | 2,980 $ |
500+ | 2,660 $ |
1000+ | 2,100 $ |
2500+ | 2,020 $ |
5000+ | 1,950 $ |
10000+ | 1,920 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,13 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB11N80AE-GE3
Code Commande81AH9254
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.391ohm
On Resistance Rds(on)0.391ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd78W
Power Dissipation78W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.391ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
78W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.391ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits