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417 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,120 $ |
| 10+ | 5,240 $ |
| 25+ | 5,110 $ |
| 50+ | 4,950 $ |
| 100+ | 4,810 $ |
| 500+ | 4,560 $ |
| 1000+ | 4,480 $ |
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Multiple: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB125N60EF-GE3
Code Commande77AH0218
Gamme de produitEF
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
On Resistance Rds(on)0.109ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd179W
Power Dissipation179W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
179W
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
On Resistance Rds(on)
0.109ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
179W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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