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SIHB12N60E-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-263-3
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB12N60E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande19X1930
Votre numéro de pièce
647 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,740 $ |
| 10+ | 3,220 $ |
| 100+ | 2,360 $ |
| 500+ | 2,000 $ |
| 1000+ | 1,890 $ |
| 2500+ | 1,830 $ |
| 5000+ | 1,800 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,74 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB12N60E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande19X1930
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.32ohm
Drain Source On State Resistance0.38ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd147W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation147W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.32ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.38ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
147W
Power Dissipation
147W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit