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SIHB15N50E-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 14.5A, TO-263-3
1 203 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,040 $ | 5,04 $ |
| Total Prix | 5,04 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,040 $ |
| 50+ | 3,920 $ |
| 100+ | 3,360 $ |
| 250+ | 3,250 $ |
| 500+ | 3,120 $ |
| 1000+ | 2,600 $ |
| 2500+ | 2,510 $ |
| 5000+ | 2,450 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB15N50E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine43Y2394RL
Bandes découpées43Y2394
Gamme de produitE
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id14.5A
Drain Source On State Resistance0.28ohm
On Resistance Rds(on)0.243ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation156W
Power Dissipation Pd156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
14.5A
On Resistance Rds(on)
0.243ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIHB15N50E-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit