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SIHB21N65EF-GE3
MOSFET, N-CH, 650V, 21A, TO-263
957 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,950 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,95 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB21N65EF-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant6 semaines
Code Commande26AK5789
Gamme de produitE Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id21A
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd208W
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
208W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit