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942 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,580 $ |
| 10+ | 4,580 $ |
| 25+ | 4,270 $ |
| 50+ | 3,950 $ |
| 100+ | 3,650 $ |
| 500+ | 3,120 $ |
| 1000+ | 3,050 $ |
| 2500+ | 2,950 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB21N80AE-GE3
Code Commande93AH0382
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id17.4A
On Resistance Rds(on)0.205ohm
Drain Source On State Resistance0.235ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation179W
Power Dissipation Pd179W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.205ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
179W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.4A
Drain Source On State Resistance
0.235ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
179W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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