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SIHB33N60E-GE3
MOSFET, N-CH, 600V, 33A, D2PAK
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB33N60E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande19X1931
Votre numéro de pièce
600 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,970 $ |
| 10+ | 10,360 $ |
| 25+ | 9,850 $ |
| 50+ | 9,140 $ |
| 100+ | 8,410 $ |
| 250+ | 7,500 $ |
| 500+ | 6,250 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
10,97 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB33N60E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande19X1931
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source On State Resistance0.099ohm
On Resistance Rds(on)0.083ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd278W
Power Dissipation278W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.099ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
278W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
On Resistance Rds(on)
0.083ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
278W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SIHB33N60E-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit