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SIHB6N80AE-GE3
MOSFET, N-CH, 800V, 5A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
987 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,350 $ |
| 10+ | 3,700 $ |
| 25+ | 3,030 $ |
| 50+ | 2,380 $ |
| 100+ | 2,190 $ |
| 250+ | 2,020 $ |
| 500+ | 1,850 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB6N80AE-GE3
Code Commande
Mise en bobine65AK0117
Bandes découpées65AK0117
Gamme de produitE Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance0.95ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.95ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits