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SIHF12N60E-GE3
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-220FP
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHF12N60E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande19X1934
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,840 $ |
| 10+ | 4,030 $ |
| 100+ | 3,010 $ |
| 500+ | 2,710 $ |
| 1000+ | 2,560 $ |
| 2500+ | 2,430 $ |
| 5000+ | 2,390 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,84 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHF12N60E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande19X1934
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.38ohm
On Resistance Rds(on)0.32ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd33W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation33W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.38ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation Pd
33W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.32ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit