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SIHFL9110TR-GE3
MOSFET, P-CH, 100V, 1.1A, SOT-223 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHFL9110TR-GE3
Code Commande
Mise en bobine57AJ0382
Bandes découpées57AJ0382
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 554 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,480 $ |
| 10+ | 0,979 $ |
| 25+ | 0,883 $ |
| 50+ | 0,786 $ |
| 100+ | 0,690 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHFL9110TR-GE3
Code Commande
Mise en bobine57AJ0382
Bandes découpées57AJ0382
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd3.1W
Power Dissipation3.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
3.1W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SIHFL9110TR-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
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