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SIHG052N60EF-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 48 A, 0.052 ohm, TO-247AC, Through Hole
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG052N60EF-GE3Copie
Code Commande77AH0221
Gamme de produitEF IV Gen Series
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG052N60EF-GE3Copie
Code Commande77AH0221
Gamme de produitEF IV Gen Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id48A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd278W
Power Dissipation278W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF IV Gen Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
278W
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF IV Gen Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
48A
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
278W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit