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527 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,510 $ |
| 10+ | 4,050 $ |
| 25+ | 4,010 $ |
| 50+ | 3,520 $ |
| 100+ | 3,020 $ |
| 500+ | 2,730 $ |
| 1000+ | 2,660 $ |
| 2500+ | 2,590 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,51 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG11N80AE-GE3
Code Commande81AH9256
Gamme de produitE
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)0.391ohm
Drain Source On State Resistance0.391ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd78W
Power Dissipation78W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.391ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
78W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
0.391ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit