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SIHG22N60EF-GE3
MOSFET, N-CH, 600V, 19A, 150DEG C, 179W
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,910 $ |
| 10+ | 7,280 $ |
| 25+ | 5,660 $ |
| 50+ | 5,230 $ |
| 100+ | 4,880 $ |
| 250+ | 4,570 $ |
| 500+ | 4,250 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
8,91 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG22N60EF-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande06AH4238
Gamme de produitEF
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.182ohm
On Resistance Rds(on)0.158ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation179W
Power Dissipation Pd179W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.182ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
179W
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
On Resistance Rds(on)
0.158ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
179W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIHG22N60EF-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit