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SIHG33N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-247AC, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,670 $ |
| 2000+ | 5,400 $ |
| 4000+ | 5,030 $ |
| 8000+ | 4,680 $ |
| 12000+ | 4,510 $ |
| 20000+ | 4,440 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 500
Multiple: 500
2 835,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG33N60E-GE3
Code Commande68W7054
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id33A
On Resistance Rds(on)0.083ohm
Drain Source On State Resistance0.099ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd278W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleTO-247AC
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation278W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.083ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.099ohm
Power Dissipation Pd
278W
Transistor Case Style
TO-247AC
Power Dissipation
278W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit