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SIHH070N60EF-T1GE3
MOSFET, N CH, 600V, 36A, POWERPAK-8
954 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 11,340 $ | 11,34 $ |
| Total Prix | 11,34 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,340 $ |
| 50+ | 6,880 $ |
| 100+ | 5,920 $ |
| 250+ | 5,690 $ |
| 500+ | 5,430 $ |
| 1000+ | 4,700 $ |
| 2500+ | 4,480 $ |
| 5000+ | 4,240 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHH070N60EF-T1GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Mise en bobine41AH4758RL
Bandes découpées41AH4758
Gamme de produitEF
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id36A
On Resistance Rds(on)0.061ohm
Drain Source On State Resistance0.071ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd202W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation202W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.061ohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Power Dissipation Pd
202W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
EF
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.071ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
202W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit