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SIHH180N60E-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 600V, 19A, 150DEG C, 114W
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,820 $ | 6,82 $ |
| Total Prix | 6,82 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,820 $ |
| 50+ | 4,540 $ |
| 100+ | 3,430 $ |
| 250+ | 3,160 $ |
| 500+ | 2,900 $ |
| 1000+ | 2,760 $ |
| 2500+ | 2,660 $ |
| 5000+ | 2,560 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHH180N60E-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine99AC0538RL
Bandes découpées99AC0538
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
On Resistance Rds(on)0.155ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd114W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation114W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
5Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
On Resistance Rds(on)
0.155ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
114W
Power Dissipation
114W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SIHH180N60E-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit