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43 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,840 $ |
| 10+ | 4,870 $ |
| 25+ | 4,560 $ |
| 50+ | 4,240 $ |
| 100+ | 3,940 $ |
| 500+ | 3,600 $ |
| 1000+ | 3,020 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHP15N65E-GE3
Code Commande26AK5806
Gamme de produitE Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id15A
On Resistance Rds(on)0.23ohm
Drain Source On State Resistance0.28ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd34W
Power Dissipation34W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.23ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
34W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
34W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits