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SIHP180N60E-GE3
MOSFET, N-CH, 19A, 600V, TO-220AB
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,480 $ |
| 10+ | 4,240 $ |
| 25+ | 3,880 $ |
| 50+ | 3,530 $ |
| 100+ | 3,160 $ |
| 250+ | 2,910 $ |
| 500+ | 2,650 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
6,48 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHP180N60E-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande07AH4768
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
On Resistance Rds(on)0.155ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd156W
Power Dissipation156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
156W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
On Resistance Rds(on)
0.155ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIHP180N60E-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit