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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,430 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHP21N80AE-GE3
Code Commande40AH1235
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id17.4A
Drain Source On State Resistance0.235ohm
On Resistance Rds(on)0.205ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd32W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation32W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.235ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.4A
On Resistance Rds(on)
0.205ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
32W
Power Dissipation
32W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits